BC846BPN,115, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 65 В, 200 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363

Ном. номер: 8354844526
Артикул: BC846BPN,115
Производитель: Nexperia
Фото 1/4 BC846BPN,115, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 65 В, 200 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/4 BC846BPN,115, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 65 В, 200 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363Фото 3/4 BC846BPN,115, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 65 В, 200 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363Фото 4/4 BC846BPN,115, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 65 В, 200 мВт, 100 мА, 200 hFE, SOT-363
22 руб.
13670 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 50 шт. — 21 руб.
от 100 шт. — 11 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
21 руб. 4 дня, 1959 шт. 1 шт. 89 шт.
от 368 шт. — 4 руб.
от 735 шт. — 2.80 руб.
от 1469 шт. — 2.30 руб.
5.20 руб. 3-4 недели, 12960 шт. 20 шт. 20 шт.
от 200 шт. — 3.80 руб.
от 600 шт. — 3.50 руб.
от 2000 шт. — 3.30 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Массивы Транзисторов - BJT

The BC846BPN is a 100mA NPN-PNP General Purpose Transistor Pair in a very small surface-mount plastic package. It is suitable for use with general purpose switching and amplification.

• Low collector capacitance
• Low collector-emitter saturation voltage
• Closely matched current gain
• Reduces number of components and board space
• No mutual interference between the transistors
• AEC-Q101 qualified
• NPN-NPN complement is BC846BS
• PNP-PNP complement is BC856BS

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
300 мВ (NPN), -300 мВ (PNP)
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Количество элементов на ИС
2
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
1000 мВ (NPN), -900 мВ (PNP)
Длина
2.2мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В, 80 В
Transistor Configuration
Изолированный
Производитель
Nexperia
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 V
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.35мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
NPN + PNP
Высота
1.1мм
Число контактов
6
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В (NPN), -6 В (PNP)
Размеры
2.2 x 1.35 x 1.1мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Вес, г
0.045

Дополнительная информация

Datasheet BC846BPN,115
Datasheet BC846BPN,115

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.