BC846BWT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 65 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 100 hFE

Ном. номер: 8366567143
Артикул: BC846BWT1G
Производитель: ON Semiconductor
Фото 1/5 BC846BWT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 65 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 100 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/5 BC846BWT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 65 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 100 hFEФото 3/5 BC846BWT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 65 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 100 hFEФото 4/5 BC846BWT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 65 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 100 hFEФото 5/5 BC846BWT1G, Биполярный транзистор, универсальный, NPN, 65 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 100 hFE
17 руб.
18790 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 50 шт. — 12 руб.
от 100 шт. — 5.60 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
12 руб. 4 дня, 48101 шт. 1 шт. 164 шт.
от 650 шт. — 2 руб.
от 1300 шт. — 1.30 руб.
от 3000 шт. — 1.10 руб.
3.30 руб. 3-4 недели, 48300 шт. 20 шт. 40 шт.
от 200 шт. — 2.40 руб.
от 600 шт. — 2.20 руб.
от 2000 шт. — 2.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The BC846BWT1G is a NPN general purpose Bipolar Transistor designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the package which is designed for low power surface-mount applications.

• AECQ101 qualified and PPAP capable

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стандарты Автомобильной Промышленности
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Частота Перехода ft
Линейка Продукции
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0.6 V
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 МГц
Number of Elements per Chip
1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
0.9 V
Length
2.2мм
Maximum Collector Base Voltage
80 V
Transistor Configuration
Одиночный
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
65 V
Package Type
SOT-323 (SC-70)
Maximum Power Dissipation
150 mW
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
1.35mm
Maximum DC Collector Current
100 мА
Transistor Type
NPN
Height
0.9мм
Pin Count
2
Maximum Emitter Base Voltage
6 V
Dimensions
2.2 x 1.35 x 0.9mm
Minimum DC Current Gain
110
EU RoHS
Compliant
ECCN (US)
EAR99
Part Status
Active
HTS
8541.29.00.95
PCB changed
3
Package Height
0.85
Mounting
Surface Mount
Lead Shape
Gull-wing
Package Width
1.24
Package Length
2.1
Type
NPN
Product Category
Bipolar Small Signal
Material
Si
Configuration
Single
Number of Elements per Chip
1
Maximum Collector Base Voltage (V)
80
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)
65
Maximum Emitter Base Voltage (V)
6
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)
0.9(Typ)@5mA@100mA|0.7(Typ)@0.5mA@10mA
Operating Junction Temperature (°C)
-55 to 150
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)
0.25@0.5mA@10mA|0.6@5mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A)
0.1
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)
15
Minimum DC Current Gain
200@2mA@5V
Maximum Power Dissipation (mW)
150
Maximum Transition Frequency (MHz)
100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C)
-55
Maximum Operating Temperature (°C)
150
Packaging
Tape and Reel
Automotive
No
Supplier Package
SC-70
Pin Count
3
Standard Package Name
SOT-323
Military
No
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
0,6 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Maximum Operating Frequency
100 MHz
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,9 В
Length
2.2мм
Конфигурация транзистора
Одинарный
Maximum Collector Base Voltage
80 В
Brand
ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage
65 В
Тип корпуса
SOT-323 (SC-70)
Максимальное рассеяние мощности
150 мВт
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Ширина
1.35мм
Maximum DC Collector Current
100 mA
Transistor Type
NPN
Высота
0.9мм
Число контактов
3
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Размеры
2.2 x 1.35 x 0.9mm
Minimum DC Current Gain
110
Вес, г
0.005

Дополнительная информация

Datasheet BC846BWT1G
Datasheet BC846BWT1G

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.