BC847AW,115, Bipolar Transistors - BJT BIPOLAR TRANSISTORS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
153000 шт., срок 7 недель
5 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
4 руб.
от 24000 шт. —
3.80 руб.
от 45000 шт. —
3.45 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 15 000 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
Описание Биполярный транзистор BC847AW производства компании NEXPERIA предназначен для использования в современных электронных устройствах. Этот компонент обладает высокой надежностью и длительным сроком службы. Монтаж транзистора выполнен в SMD-формате, что позволяет легко интегрировать его в печатные платы с поверхностным монтажом. Коллекторный ток достигает 0,2 А, а напряжение коллектор-эмиттер составляет 45 В, что говорит о хорошей производительности устройства. Мощность транзистора ограничена 0,2 Вт, что делает его идеальным выбором для низковольтных применений. Входящий в состав транзистор типа NPN, помещен в компактный корпус SOT323, обеспечивающий простую установку и минимальное занимаемое пространство на плате. Это делает BC847AW,115 идеальным решением для массового производства и DIY-проектов. Код товара для заказа: BC847AW115. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | биполярный |
| Вид | NPN |
| Монтаж | SMD |
| Ток коллектора, А | 0.2 |
| Напряжение коллектор-эмиттер, В | 45 |
| Мощность, Вт | 0.2 |
| Корпус | SOT323 |
Технические параметры
| Pd - рассеивание мощности | 250 mW |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Высота | 1 mm |
| Длина | 2.2 mm |
| Другие названия товара № | 934021760115 |
| Категория продукта | Биполярные транзисторы - BJT |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Максимальный постоянный ток коллектора | 0.1 A |
| Минимальная рабочая температура | 65 C |
| Напряжение коллектор-база (VCBO) | 50 V |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. | 45 V |
| Напряжение эмиттер-база (VEBO) | 6 V |
| Подкатегория | Transistors |
| Полярность транзистора | NPN |
| Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) | 100 MHz |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | BJTs - Bipolar Transistors |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | SOT-323-3 |
| Ширина | 1.35 mm |
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Maximum DC Collector Current | 100 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 200 mW |
| Minimum DC Current Gain | 110 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-323(SC-70) |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Type | NPN |
Техническая документация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
