BC847BPDW1T2G, Массив биполярных транзисторов, NPN, PNP, 45 В, 100 мА, 380 мВт, 200 hFE, SOT-363
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
58 руб.
Мин. кол-во для заказа 45 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
25 руб.
Добавить в корзину 45 шт.
на сумму 2 610 руб.
Посмотреть аналоги11
Описание
The Dual NPN PNP Bipolar Transistor is designed for general purpose amplifier applications. It is housed in the SOT-363/SC-88 package, which is designed for low power surface mount applications.
Технические параметры
| Maximum Collector Base Voltage | 50 V |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 45 V |
| Maximum DC Collector Current | 200 mA |
| Maximum Emitter Base Voltage | 6 V |
| Maximum Operating Frequency | 100 MHz |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 380 mW |
| Minimum DC Current Gain | 200 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Package Type | SOT-363 |
| Pin Count | 6 |
| Transistor Type | NPN/PNP |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 131 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
