BC847CWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 420 hFE

Фото 2/2 BC847CWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 420 hFE
Фото 1/2 BC847CWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 420 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8040209034
Артикул: BC847CWT1G
Производитель: ON Semiconductor
22 руб.
60190 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 19 руб.
от 100 шт. — 6.20 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
1 руб. По запросу 1 шт. 2294 шт.
от 6000 шт. — 0.82 руб.
от 21000 шт. — 0.78 руб.
4.20 руб. 5-6 недель, 1600 шт. 20 шт. 40 шт.
от 200 шт. — 3.20 руб.
от 600 шт. — 2.90 руб.
3 руб. 7 дней, 17000 шт. 250 шт. 250 шт.
13 руб. 4 дня, 17831 шт. 1 шт. 148 шт.
от 654 шт. — 2 руб.
от 1308 шт. — 1.40 руб.
от 3000 шт. — 1.10 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Small Signal NPN Transistors, ON Semiconductor

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер 45В
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323
Рассеиваемая Мощность 150мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 420hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Линейка Продукции BCxxx Series
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage 0.6 V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Operating Frequency 100 МГц
Number of Elements per Chip 1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage 0.9 V
Length 2.2мм
Maximum Collector Base Voltage 50 В
Transistor Configuration Одинарный
Brand ON Semiconductor
Maximum Collector Emitter Voltage 45 V
Package Type SOT-323 (SC-70)
Maximum Power Dissipation 150 mW
Mounting Type Поверхностный монтаж
Minimum Operating Temperature -55 °C
Width 1.35mm
Maximum DC Collector Current 100 мА
Transistor Type NPN
Height 0.9мм
Pin Count 3
Maximum Emitter Base Voltage 6 V
Dimensions 2.2 x 1.35 x 0.9mm
Minimum DC Current Gain 270
Вес, г 0.006

Дополнительная информация

Datasheet BC847CWT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.