BC848BWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 200 hFE

* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
17 руб.
|
430 шт. со склада г.Москва, срок 2-4 недели |
|
от 100 шт. —
5.50 руб.
Кратность заказа 10 шт.
|
Цена | Наличие | Кратность | Минимум | Количество |
---|---|---|---|---|
5 руб. | 3-4 недели, 21000 шт. | 3000 шт. | 3000 шт. | |
от 9000 шт. — 3.60 руб.
|
||||
6.40 руб. | 5-6 недель, 3290 шт. | 1 шт. | 20 шт. | |
от 25 шт. — 4.80 руб.
|
||||
15.10 руб. | 3-5 недель, 1043 шт. | 1 шт. | 10 шт. | |
от 100 шт. — 5.20 руб.
|
Добавить в корзину 0 шт.
на сумму 0 руб.
|
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Напряжение Коллектор-Эмиттер | 30В |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
Рассеиваемая Мощность | 150мВт |
Полярность Транзистора | npn |
DC Ток Коллектора | 100мА |
DC Усиление Тока hFE | 200hFE |
Частота Перехода ft | 100мгц |
Вес, г | 0.006 |
Дополнительная информация
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.