BC848BWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 200 hFE

BC848BWT1G, Биполярный транзистор, NPN, 30 В, 100 МГц, 150 мВт, 100 мА, 200 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8550365932
Артикул: BC848BWT1G
Производитель: ON Semiconductor
17 руб.
430 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 100 шт. — 5.50 руб.
Кратность заказа 10 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
5 руб. 3-4 недели, 21000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
от 9000 шт. — 3.60 руб.
6.40 руб. 5-6 недель, 3290 шт. 1 шт. 20 шт.
от 25 шт. — 4.80 руб.
15.10 руб. 3-5 недель, 1043 шт. 1 шт. 10 шт.
от 100 шт. — 5.20 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 30В
Стиль Корпуса Транзистора SOT-323
Рассеиваемая Мощность 150мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Вес, г 0.006

Дополнительная информация

Datasheet BC848BWT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.