BC856BW, TRANSISTOR, PNP, 65V, 0.1A, SOT323-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
70 руб.
Мин. кол-во для заказа 40 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
31 руб.
Добавить в корзину 40 шт.
на сумму 2 800 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
TRANSISTOR, PNP, 65V, 0.1A, SOT323-3; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-65V; Transition Frequency ft:200MHz; Power Dissipation Pd:200mW; DC Collector Current:-100mA; DC Current Gain hFE:290hFE;
Технические параметры
| Collector Emitter Voltage Max | 65В |
| Continuous Collector Current | 100мА |
| DC Current Gain hFE Min | 290hFE |
| Power Dissipation | 200мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Полярность Транзистора | PNP |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-323 |
| Частота Перехода ft | 200МГц |
| RoHS Compliant | Yes |
| Вес, г | 0.484 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
