BC857B-7-F, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 330 hFE

Ном. номер: 8308914307
Артикул: BC857B-7-F
Производитель: Diodes Incorporated
Фото 1/2 BC857B-7-F, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 330 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Фото 2/2 BC857B-7-F, Биполярный транзистор, PNP, -45 В, 200 МГц, 300 мВт, -100 мА, 330 hFE
28 руб.
9870 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 25 шт. — 27 руб.
от 100 шт. — 9.50 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
7 руб. 8 дней, 16900 шт. 100 шт. 100 шт.
от 300 шт. — 6 руб.
от 600 шт. — 4.60 руб.
1.40 руб. 3-4 недели, 6000 шт. 3000 шт. 6000 шт.
11 руб. 3-4 недели, 10100 шт. 20 шт. 20 шт.
от 100 шт. — 5 руб.
от 420 шт. — 2.60 руб.
от 1940 шт. — 2.22 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.
Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The BC857B-7-F is a PNP small signal Bipolar Transistor ideally suitable for automatic insertion, switching and AF amplifier applications.

• UL94V-0 Flammability rating
• BC846 - BC848 Complementary NPN types
• Halogen-free, Green device
• -65 to 150°C Operating temperature range

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Напряжение Коллектор-Эмиттер
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
DC Ток Коллектора
DC Усиление Тока hFE
Частота Перехода ft
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0,65 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
200 МГц
Количество элементов на ИС
1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
0,85 В
Длина
3мм
Максимальное напряжение коллектор-база
-50 V
Transistor Configuration
Одинарный
Производитель
DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Ширина
1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора
100 mA
Тип транзистора
PNP
Высота
1.1мм
Число контактов
3
Размеры
3 x 1.4 x 1.1мм
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 V
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
220
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-0.65 V
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальная рабочая частота
200 MHz
Number of Elements per Chip
1
Maximum Base Emitter Saturation Voltage
-0.85 V
Длина
3мм
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Base Voltage
-50 V
Brand
DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
45 В
Тип корпуса
SOT-23
Maximum Power Dissipation
300 mW
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Минимальная рабочая температура
-65 °C
Width
1.4мм
Maximum DC Collector Current
100 mA
Transistor Type
PNP
Высота
1.1mm
Pin Count
3
Dimensions
3 x 1.4 x 1.1mm
Maximum Emitter Base Voltage
-5 V
Minimum DC Current Gain
220
Вес, г
0.008

Дополнительная информация

Datasheet BC857B-7-F

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.