BCP5416TA, Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

Фото 1/5 BCP5416TA, Trans GP BJT NPN 45V 1A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
13 руб.
Мин. кол-во для заказа 3000 шт.
Кратность заказа 1000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт. на сумму 39 000 руб.
Номенклатурный номер: 8003278602
Артикул: BCP5416TA
Бренд: DIODES INC.

Описание

Semiconductor - Discrete > Transistors > BJT - General Purpose
Описание Транзистор: NPN, биполярный, 45В, 1А, 2Вт, SOT223 Характеристики
Категория Транзистор
Тип биполярный
Вид NPN

Технические параметры

EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type NPN
Product Category Bipolar Power
Configuration Single Dual Collector
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector Base Voltage (V) 45
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 45
Maximum Emitter Base Voltage (V) 5
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.5@50mA@500mA
Maximum DC Collector Current (A) 1
Minimum DC Current Gain 25@5mA@2V|40@150mA@2V|25@500mA@2V|100@150mA@2V
Maximum Power Dissipation (mW) 2000
Maximum Transition Frequency (MHz) 150(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -65
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Packaging Tape and Reel
Supplier Temperature Grade Automotive
Automotive No
Pin Count 4
Supplier Package SOT-223
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 1.55
Package Length 6.5
Package Width 3.5
PCB changed 3
Tab Tab
Pd - рассеивание мощности 2000 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1.65 mm
Длина 6.7 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 45 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 45 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 5 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 100 MHz
Размер фабричной упаковки 1000
Серия BCP54
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-223-4
Ширина 3.7 mm
Base Product Number BCP5416 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 1A
Current - Collector Cutoff (Max) 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 100 @ 150mA, 2V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 150MHz
HTSUS 8541.29.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -65В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-261-4, TO-261AA
Power - Max 2W
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-223
Transistor Type NPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 50mA, 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 45V
Collector Emitter Voltage Max 45В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 100hFE
DC Усиление Тока hFE 100hFE
Power Dissipation 2Вт
Количество Выводов 4вывод(-ов)
Линейка Продукции BCP54
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-223
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 150МГц
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 375 КБ
Datasheet
pdf, 392 КБ
Datasheet
pdf, 372 КБ
Datasheet
pdf, 424 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов