BCW32LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 225 мВт, 100 мА, 200 hFE

Фото 2/3 BCW32LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 225 мВт, 100 мА, 200 hFEФото 3/3 BCW32LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 225 мВт, 100 мА, 200 hFE
Фото 1/3 BCW32LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 32 В, 225 мВт, 100 мА, 200 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8560908796
Артикул: BCW32LT1G
Производитель: ON Semiconductor
24 руб.
4780 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 21 руб.
от 100 шт. — 7 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
2 руб. По запросу 1 шт. 2000 шт.
12 руб. 3-5 недель, 8900 шт. 1 шт. 30 шт.
от 100 шт. — 3.50 руб.
5.80 руб. 5-6 недель, 4480 шт. 20 шт. 20 шт.
от 2000 шт. — 3.80 руб.
9 руб. 3-4 недели, 3925 шт. 25 шт. 25 шт.
от 1300 шт. — 3.36 руб.
11 руб. 4 дня, 1753 шт. 1 шт. 185 шт.
от 348 шт. — 2.20 руб.
от 695 шт. — 1.50 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT
Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 32 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффициент усиления по току, min 200, Коэффициент усиления по току, max 450

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Стандарты Автомобильной Промышленности AEC-Q101
Напряжение Коллектор-Эмиттер 32В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 225мВт
Полярность Транзистора npn
DC Ток Коллектора 100мА
DC Усиление Тока hFE 200hFE
Вес, г 1

Дополнительная информация

Datasheet BCW32LT1G

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах