BCW66GLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 330 мВт, 800 мА, 60 hFE

PartNumber: BCW66GLT1G
Ном. номер: 8074177095
Производитель: ON Semiconductor
BCW66GLT1G, Биполярный транзистор, NPN, 45 В, 100 МГц, 330 мВт, 800 мА, 60 hFE
Доступно на заказ 2850 шт. Отгрузка со склада в г.Москва 2-3 недели.
17 руб. × = 85 руб.
Количество товаров должно быть кратно 5 шт.
от 50 шт. — 5.70 руб.
от 250 шт. — 5.30 руб.

Описание

The BCW66GLT1G is a NPN general purpose Bipolar Transistor designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the package which is designed for lower power surface-mount applications.

• AECQ101 qualified and PPAP capable

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
45В
Стиль Корпуса Транзистора
SOT-23
Рассеиваемая Мощность
330мВт
Полярность Транзистора
NPN
DC Ток Коллектора
800мА
DC Усиление Тока hFE
60hFE
Частота Перехода ft
100МГц

Дополнительная информация

Datasheet BCW66GLT1G
Datasheet BCW66GLT1G