Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › Nexperia › BCW68FVL, Биполярный транзистор, PNP, 45 В ...

BCW68FVL, Биполярный транзистор, PNP, 45 В, 800 мА, 250 мВт, TO-236AB, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9990 шт., срок 8-10 недель

39 руб.

Мин. кол-во для заказа 70 шт.

Кратность заказа 5 шт.

от 100 шт. — 17 руб.

Добавить в корзину 70 шт. на сумму 2 730 руб.

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8001525596

Артикул: BCW68FVL

Бренд: Nexperia B.V.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

Биполярные транзисторы - BJT BCW68F/SOT23/TO-236A

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max	45В
Continuous Collector Current	800мА
DC Current Gain hFE Min	35hFE
DC Усиление Тока hFE	35hFE
Power Dissipation	250мВт
Квалификация	AEC-Q101
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Линейка Продукции	BCW68
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Монтаж транзистора	Surface Mount
Полярность Транзистора	PNP
Стиль Корпуса Транзистора	TO-236AB
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)	MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft	80МГц
Pd - рассеивание мощности	250 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Другие названия товара №	934070944235
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Конфигурация	Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс.	250
Максимальный постоянный ток коллектора	800 mA
Минимальная рабочая температура	55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	50 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	45 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	450 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Подкатегория	Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	80 MHz
Размер фабричной упаковки	10000
Технология	Si
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	Nexperia
Упаковка / блок	SOT-23-3
Вес, г	0.03