BCW68HTA, Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 45 В, 100 МГц, 330 мВт, 500 мА, 350 hFE

Фото 2/3 BCW68HTA, Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 45 В, 100 МГц, 330 мВт, 500 мА, 350 hFEФото 3/3 BCW68HTA, Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 45 В, 100 МГц, 330 мВт, 500 мА, 350 hFE
Фото 1/3 BCW68HTA, Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 45 В, 100 МГц, 330 мВт, 500 мА, 350 hFE
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
Ном. номер: 8844460037
Артикул: BCW68HTA
Производитель: Diodes Incorporated
67 руб.
140 шт. со склада г.Москва,
срок 2-4 недели
от 10 шт. — 43 руб.
от 100 шт. — 22 руб.
Кратность заказа 5 шт.
Показать альтернативные предложения > > >
Цена Наличие Кратность Минимум Количество
29 руб. 7 дней, 2850 шт. 50 шт. 50 шт.
от 600 шт. — 20 руб.
от 1500 шт. — 17 руб.
12 руб. 3-5 недель, 3000 шт. 3000 шт. 3000 шт.
120 руб. 3-4 недели, 11713 шт. 1 шт. 1 шт.
от 10 шт. — 73 руб.
от 100 шт. — 40 руб.
от 500 шт. — 32.40 руб.
Добавить в корзину 0 шт. на сумму 0 руб.

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The BCW68HTA is a PNP silicon planar medium power Bipolar Transistor offers -60V collector-base voltage and -800mA continuous collector current.

• Complementary to BCW66
• -55 to 150°C Operating temperature range

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура 150 C
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер 45В
Стиль Корпуса Транзистора sot-23
Рассеиваемая Мощность 330мВт
Полярность Транзистора pnp
DC Ток Коллектора 500мА
DC Усиление Тока hFE 350hFE
Частота Перехода ft 100мгц
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер 0.3 V
Максимальная рабочая температура +150 °C
Максимальная рабочая частота 100 МГц
Количество элементов на ИС 1
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер 2 В
Длина 3мм
Transistor Configuration Одинарный
Производитель DiodesZetex
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер) 45 В
Тип корпуса SOT-23
Максимальное рассеяние мощности 330 мВт
Тип монтажа Surface Mount
Минимальная рабочая температура -55 °C
Ширина 1.4мм
Максимальный пост. ток коллектора 800 мА
Тип транзистора PNP
Высота 1.1мм
Число контактов 3
Максимальное напряжение эмиттер-база 5 В
Размеры 1.1 x 3 x 1.4мм
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току 100
EU RoHS Compliant
ECCN (US) EAR99
Part Status Active
HTS 8541.29.00.95
Type PNP
Product Category Bipolar Power
Material Si
Configuration Single
Number of Elements per Chip 1
Maximum Collector-Emitter Voltage (V) 45
Maximum Emitter Base Voltage (V) 7
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V) 2@50mA@500mA
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V) 0.3@10mA@100mA
Maximum DC Collector Current (A) 0.8
Minimum DC Current Gain 100@500mA@2V|250@100mA@1V
Maximum Power Dissipation (mW) 350
Maximum Transition Frequency (MHz) 100(Min)
Minimum Operating Temperature (°C) -55
Maximum Operating Temperature (°C) 150
Supplier Temperature Grade Automotive
Packaging Tape and Reel
Automotive Yes
AEC Qualified Number AEC-Q101
Pin Count 3
Supplier Package SOT-23
Standard Package Name SOT-23
Military No
Mounting Surface Mount
Package Height 0.98
Package Length 2.9
Package Width 1.3
PCB changed 3
Lead Shape Gull-wing
Вес, г 0.008

Дополнительная информация

Datasheet BCW68HTA
Datasheet BCW68HTA

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.

Цена и наличие в магазинах