Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные (BJTs) › ON Semiconductor › BD180G, Биполярный транзистор, универсальный ...

BD180G, Биполярный транзистор, универсальный, PNP, 80 В, 3 А, 30 Вт, TO-225AA, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

210 руб.

Мин. кол-во для заказа 13 шт.

от 100 шт. — 140 руб.

Добавить в корзину 13 шт. на сумму 2 730 руб.

Номенклатурный номер: 8158309835

Артикул: BD180G

Бренд: ON Semiconductor***

Описание

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\Биполярные Транзисторы\Биполярные Одиночные Массивы Транзисторов - BJT

The BD180G is a 80V PNP medium-power silicon Bipolar Transistor is designed for use in 5 to 10W audio amplifiers and drivers utilizing complementary or quasi complementary circuits.

• Complementary with BD179

Технические параметры

Collector Emitter Voltage Max	80В
Continuous Collector Current	3А
DC Current Gain hFE Min	40hFE
DC Усиление Тока hFE	40hFE
Power Dissipation	30Вт
Количество Выводов	3вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура	150 C
Монтаж транзистора	Through Hole
Полярность Транзистора	PNP
Стиль Корпуса Транзистора	TO-225AA
Частота Перехода ft	3МГц
Pd - рассеивание мощности	30 W
Вид монтажа	Through Hole
Высота	11.04 mm (Max)
Длина	7.74 mm (Max)
Категория продукта	Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe)	15
Конфигурация	Single
Максимальный постоянный ток коллектора	1 A
Минимальная рабочая температура	65 C
Напряжение коллектор-база (VCBO)	80 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.	80 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер	0.8 V
Напряжение эмиттер-база (VEBO)	5 V
Непрерывный коллекторный ток	1 A
Подкатегория	Transistors
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT)	3 MHz
Размер фабричной упаковки	500
Серия	BD180
Тип продукта	BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка	Bulk
Упаковка / блок	TO-225-3
Ширина	2.66 mm (Max)
Automotive	No
Configuration	Single
ECCN (US)	EAR99
Lead Shape	Through Hole
Material	Si
Maximum Collector Base Voltage (V)	80
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)	1000000
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)	0.8@0.1A@1A
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)	80
Maximum DC Collector Current (A)	1
Maximum Emitter Base Voltage (V)	5
Maximum Operating Temperature (°C)	150
Maximum Power Dissipation (mW)	30000
Maximum Transition Frequency (MHz)	3(Min)
Minimum DC Current Gain	15@1A@2V
Minimum Operating Temperature (°C)	-65
Mounting	Through Hole
Number of Elements per Chip	1
Packaging	Box
Part Status	Active
PCB changed	3
Pin Count	3
PPAP	No
Product Category	Bipolar Power
Standard Package Name	TO
Supplier Package	TO-225
Tab	Tab
Type	PNP
Maximum Collector Base Voltage	80 V
Maximum Collector Emitter Voltage	-80 V
Maximum DC Collector Current	-1 A
Maximum Emitter Base Voltage	5 V
Maximum Operating Frequency	3 MHz
Maximum Operating Temperature	+150 °C
Maximum Power Dissipation	30 W
Mounting Type	Through Hole
Package Type	TO-225
Transistor Configuration	Single
Transistor Type	PNP
Category	Bipolar Power
Collector Current (DC)	1(A)
Collector Current (DC) (Max)	1 A
Collector-Base Voltage	80(V)
Collector-Emitter Voltage	80(V)
DC Current Gain	15
DC Current Gain (Min)	15
Emitter-Base Voltage	5(V)
Frequency	3(MHz)
Frequency (Max)	3 MHz
Number of Elements	1
Operating Temp Range	-65C to 150C
Operating Temperature Classification	Military
Output Power	Not Required(W)
Rad Hardened	No
Transistor Polarity	PNP
Вес, г	0.64