BGA7M1N6E6327XTSA1, Усилитель РЧ, 12.6дБ усиление/ 0.65дБ шум, 1.805ГГц до 2.2ГГц, 1.5В до 3.3В питание, TSNP-6
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
Мин. кол-во для заказа 19 шт.
от 100 шт. —
91 руб.
Добавить в корзину 19 шт.
на сумму 2 660 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\РЧ\РЧ Усилители
BGA 7M1N6 E6327, SP001109138
Технические параметры
Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
Линейка Продукции | - |
Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
Максимальная Частота | 2.2ГГц |
Максимальное Напряжение Питания | 3.3В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальная Частота | 1.805ГГц |
Минимальное Напряжение Питания | 1.5В |
Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы | TSNP |
Типичное Значение Коэффициента Шума | 0.65дБ |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Усиление | 12.6дБ |
Brand: | Infineon Technologies |
Factory Pack Quantity: | 15000 |
Gain: | 13 dB |
Input Return Loss: | 10 dB |
Isolation dB: | 21 dB |
Manufacturer: | Infineon |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
NF - Noise Figure: | 0.65 dB |
OIP3 - Third Order Intercept: | 4 dBm |
Operating Frequency: | 1.805 GHz to 2.2 GHz |
Operating Supply Current: | 4.4 mA |
Operating Supply Voltage: | 1.5 V to 3.3 V |
P1dB - Compression Point: | -4 dBm |
Package/Case: | TSNP-6 |
Packaging: | Reel, Cut Tape |
Part # Aliases: | BGA 7M1N6 E6327 SP001109138 |
Product Category: | RF Amplifier |
Product Type: | RF Amplifier |
Subcategory: | Wireless & RF Integrated Circuits |
Supply Voltage - Max: | 3.3 V |
Supply Voltage - Min: | 1.5 V |
Technology: | SiGe |
Test Frequency: | 1.805 GHz to 1.88 GHz |
Type: | Low Noise Amplifiers |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1320 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 205 КБ
Трёхмерное изображение изделия
zip, 522 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем