BGS12P2L6E6327XTSA1, RF MOS POWER SWITCH, SPDT, -40 TO 85DEGC
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Мин. кол-во для заказа 25 шт.
Кратность заказа 5 шт.
от 100 шт. —
70 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 3 000 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Микросхемы\РЧ\РЧ Переключатели
Rf Mos Power Switch, Spdt, -40 To 85Degc Rohs Compliant: Yes |Infineon BGS12P2L6E6327XTSA1
Технические параметры
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальная Частота | 6ГГц |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.4В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальная Частота | 50МГц |
| Минимальное Напряжение Питания | 1.65В |
| Стиль Корпуса Радиочастотной Микросхемы | TSLP |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Frequency | 6000(MHz) |
| Insertion Loss | 0.74(dB) |
| Number of Switches | 1 |
| Operating Band Frequency | 50 TO 6000(MHz) |
| Operating Supply Voltage (Max) | 3.4(V) |
| Operating Supply Voltage (Min) | 1.65(V) |
| Operating Temp Range | 125C |
| Package Type | TSLP |
| Packaging | Tape and Reel |
| Rad Hardened | No |
| Switch Configuration | SINGLE SPDT |
| Switch Type | SPDT |
| Technology | CMOS |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.01 |
Техническая документация
Datasheet BGS12P2L6E6327XTSA1
pdf, 874 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем
