BP104S, PIN PHOTO DIODE, 950NM, RADIAL LEADED

Фото 1/4 BP104S, PIN PHOTO DIODE, 950NM, RADIAL LEADED
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
300 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт.200 руб.
от 25 шт.173 руб.
Добавить в корзину 9 шт. на сумму 2 700 руб.
Номенклатурный номер: 8008998474
Артикул: BP104S

Описание

Оптоэлектроника и Дисплеи\Фотодиоды\Фотодиоды без Усиления
Photodiode 950nm 100ns 130В° 2-DIP

Технические параметры

Длина Волны Предельной Чувствительности 950нм
Количество Выводов 2вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 100°C
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Стиль Корпуса Диода Радиальные Выводы
Темновой Ток 2000пА
Угол Приема ± 65°
Active Area 7.5mmВІ
Base Product Number BP104 ->
Current - Dark (Typ) 2nA
Diode Type PIN
ECCN EAR99
HTSUS 8541.40.6050
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Through Hole
Operating Temperature -40В°C ~ 100В°C
Package Tube
Package / Case 2-DIP
Response Time 100ns
RoHS Status ROHS3 Compliant
Spectral Range 870nm ~ 1050nm
Viewing Angle 130В°
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) 60V
Wavelength 950nm
Number of Pins 2
Package Type Leaded
Spectrums Detected Infrared
Wavelength of Peak Sensitivity 950nm
Automotive No
ECCN (US) EAR99
EU RoHS Compliant
Lens Type Epoxy
Maximum Dark Current (nA) 30
Maximum Fall Time (ns) 100(Typ)
Maximum Light Current (uA) 45(Typ)
Maximum Operating Temperature (°C) 100
Maximum Power Dissipation (mW) 215
Maximum Reverse Voltage (V) 60
Maximum Rise Time (ns) 100(Typ)
Minimum Operating Temperature (°C) -40
Mounting Through Hole
Packaging Tube
Part Status Active
PCB changed 2
Peak Wavelength (nm) 950
Photodiode Material Si
Photodiode Type PIN
Pin Count 2
Polarity Forward
PPAP No
Type Chip

Техническая документация

Datasheet
pdf, 109 КБ
Datasheet
pdf, 112 КБ
Datasheet
pdf, 109 КБ
Datasheet
pdf, 106 КБ