BPW16N, Фототранзистор, 825 нм, 40 °, 100 мВт, 2 вывод(-ов), T-3/4 (1.8mm)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
230 руб.
Мин. кол-во для заказа 12 шт.
от 25 шт. —
129 руб.
Добавить в корзину 12 шт.
на сумму 2 760 руб.
Описание
Оптоэлектроника и Дисплеи\Фототранзисторы
The BPW16N is a Silicon NPN Phototransistor with high radiant sensitivity in clear, plastic package with flat window. It is sensitive to visible and near infrared radiation. On PCB this package size enables assembly of arrays with 2.54mm pitch. It is suitable for detector in electronic control and drive circuits.
• Leaded package
• High photo sensitivity
• High radiant sensitivity
• Suitable for visible and near infrared radiation
• Fast response time
• ϕ = ±40° Angle of half sensitivity
Технические параметры
| Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
| Стиль Корпуса Транзистора | T-3/4(1.8mm) |
| Типичное Значение Длины Волны | 825нм |
| Угол Обзора | 40° |
| Энергопотребление | 100мВт |
| Вес, г | 0.118 |
Техническая документация
Datasheet BPW16N
pdf, 91 КБ
