BS170F, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 60 В, 150 мА, 5 Ом, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
200 руб.
Мин. кол-во для заказа 14 шт.
от 100 шт. —
129 руб.
Добавить в корзину 14 шт.
на сумму 2 800 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The BS170F from Diode Inc is a surface mount, N channel enhancement mode vertical DMOS FET in SOT-23 package.
• Automotive grade AEC-Q101 qualified
• Drain to source Voltage (Vds) of 60V
• Gate to source voltage (Vgs) of ±20
• Continuous drain current (Id) 0.15mA to 25°C
• Power dissipation (pd) of 330mW
• Operating temperature range -55°C to 150°C
• Low on state resistance of 5ohm at Vgs 10V
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 5Ом |
| Power Dissipation | 330мВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Непрерывный Ток Стока | 150мА |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 330мВт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 5Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Continuous Drain Current | 0.00015(A) |
| Drain-Source On-Res | 5(ohm) |
| Drain-Source On-Volt | 60(V) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±20(V) |
| Mounting | Surface Mount |
| Number of Elements | 1 |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Package Type | SOT-23 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Polarity | N |
| Rad Hardened | No |
| Type | Small Signal |
| Вес, г | 0.033 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 112 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
