BS870-7-F, N-Channel MOSFET, 250 mA, 60 V, 3-Pin SOT-23 Diodes Inc BS870-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Кратность заказа 25 шт.
от 250 шт. —
88 руб.
Добавить в корзину 25 шт.
на сумму 3 000 руб.
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\MOSFETs
МОП-транзистор 60V 310mW
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N |
Maximum Continuous Drain Current | 250 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 5 Ω |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 300 mW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | SOT-23 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | Si |
Width | 1.4mm |
Id - непрерывный ток утечки | 250 mA |
Pd - рассеивание мощности | 300 mW |
Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5 Ohms |
Vds - напряжение пробоя сток-исток | 60 V |
Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Высота | 1 mm |
Длина | 2.9 mm |
Канальный режим | Enhancement |
Категория продукта | МОП-транзистор |
Количество каналов | 1 Channel |
Конфигурация | Single |
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 80 mS |
Максимальная рабочая температура | + 150 C |
Минимальная рабочая температура | 55 C |
Подкатегория | MOSFETs |
Полярность транзистора | N-Channel |
Продукт | MOSFET Small Signal |
Размер фабричной упаковки | 3000 |
Серия | BS870 |
Технология | Si |
Тип | Enhancement Mode Field Effect Transistor |
Тип продукта | MOSFET |
Тип транзистора | 1 N-Channel |
Типичное время задержки выключения | 5 ns |
Типичное время задержки при включении | 2 ns |
Торговая марка | Diodes Incorporated |
Упаковка / блок | SOT-23-3 |
Ширина | 1.3 mm |
Base Product Number | BS870 -> |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 250mA (Ta) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
ECCN | EAR99 |
FET Type | N-Channel |
HTSUS | 8541.21.0095 |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 50pF @ 10V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ® |
Package / Case | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Power Dissipation (Max) | 300mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5Ohm @ 200mA, 10V |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | SOT-23-3 |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
Vgs (Max) | В±20V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250ВµA |
Вес, г | 7 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 133 КБ
Datasheet BS870-7-F
pdf, 456 КБ
Datasheet BS870-7-F
pdf, 102 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов