BSB028N06NN3GXUMA1, MOSFET, N CH, 60V, 90A, WDSON
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
520 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
460 руб.
от 100 шт. —
357 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 600 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0028Ом |
Power Dissipation | 78Вт |
Количество Выводов | 2вывод(-ов) |
Линейка Продукции | OptiMOS 3 Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
Непрерывный Ток Стока | 90А |
Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
Стиль Корпуса Транзистора | WDSON |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 0.3 |
Техническая документация
Datasheet BSB028N06NN3GXUMA1
pdf, 743 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов