Мой регион: Россия

BSB028N06NN3GXUMA1, МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 60 В, 0.0022 Ом, 10 В, 3 В

Ном. номер: 8207304207
PartNumber: BSB028N06NN3GXUMA1
Производитель: Infineon Technologies
BSB028N06NN3GXUMA1, МОП-транзистор, N Канал, 90 А, 60 В, 0.0022 Ом, 10 В, 3 В
* Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
220 руб.
4525 шт. со склада г.Москва,
срок 2-3 недели
от 10 шт. — 163 руб.
от 100 шт. — 131 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 220 руб.

The BSB028N06NN3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS). It can be used for a broad range of industrial applications including solar micro inverter and fast switching DC-to-DC converter.

• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Very low ON-resistance RDS (ON)
• Ideal for fast switching applications
• Halogen-free, Green device
• Highest system efficiency
• Less paralleling required
• Increased power density
• Very low voltage overshoot
• Superior thermal resistance
• Dual sided cooling
• Low parasitic inductance
• Normal level
• 100% Avalanche tested
• Qualified according to JEDEC for target applications
• Compatible with DirectFET® package MN foot-print and outline
• MSL1 rated

Полупроводники - Дискретные\Транзисторы\МОП-транзисторы

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура
Количество Выводов
Стиль Корпуса Транзистора
Рассеиваемая Мощность
Полярность Транзистора
Напряжение Истока-стока Vds
Непрерывный Ток Стока
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)
Напряжение Измерения Rds(on)
Пороговое Напряжение Vgs
Вес, г
0.3

Дополнительная информация

Datasheet BSB028N06NN3GXUMA1

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.