BSB028N06NN3GXUMA1, MOSFET, N CH, 60V, 90A, WDSON

BSB028N06NN3GXUMA1, MOSFET, N CH, 60V, 90A, WDSON
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
520 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт.460 руб.
от 100 шт.357 руб.
Добавить в корзину 5 шт. на сумму 2 600 руб.
Номенклатурный номер: 8207304207
Артикул: BSB028N06NN3GXUMA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Технические параметры

Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 0.0028Ом
Power Dissipation 78Вт
Количество Выводов 2вывод(-ов)
Линейка Продукции OptiMOS 3 Series
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 60В
Непрерывный Ток Стока 90А
Пороговое Напряжение Vgs
Стиль Корпуса Транзистора WDSON
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Вес, г 0.3

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов