BSC007N04LS6ATMA1

Фото 1/3 BSC007N04LS6ATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 080 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 1 080 руб.
Номенклатурный номер: 8009680879

Описание

Электроэлемент
MOSFET, N-CH, 40V, 100A, 175DEG C, 188W; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.00062ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vg

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C 100A
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
FET Feature -
FET Type N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 94nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 8400pF @ 20V
Manufacturer Infineon Technologies
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature -55В°C ~ 175В°C(TJ)
Package / Case 8-PowerTDFN
Packaging Cut Tape(CT)
Part Status Active
Power Dissipation (Max) 188W
Rds On (Max) @ Id, Vgs 0.7mOhm @ 50A, 10V
Series OptiMOSв(ў
Supplier Device Package PG-TDSON-8
Technology MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max) В±20V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 250ВµA
Другие названия товара № SP001629650
Категория продукта МОП-транзистор
Подкатегория MOSFETs
Размер фабричной упаковки 5000
Технология Si
Тип продукта MOSFET
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Reel, Cut Tape
Channel Type N Channel
Drain Source On State Resistance 620мкОм
Power Dissipation 188Вт
Количество Выводов 8вывод(-ов)
Линейка Продукции OptiMOS 6
Максимальная Рабочая Температура 175°C
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Измерения Rds(on) 10В
Напряжение Истока-стока Vds 40В
Непрерывный Ток Стока 100А
Полярность Транзистора N Канал
Пороговое Напряжение Vgs 2.3В
Рассеиваемая Мощность 188Вт
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) 620мкОм
Стиль Корпуса Транзистора TDSON
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Maximum Continuous Drain Current 381 A
Maximum Drain Source Voltage 40 V
Number of Elements per Chip 1
Package Type TDSON
Pin Count 8
Вес, г 0.5

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1388 КБ
Datasheet BSC007N04LS6ATMA1
pdf, 1552 КБ
Документация
pdf, 1447 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов