BSC014N04LSIATMA1
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
190 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 380 руб.
Описание
This Infineon OptiMOS Power MOSFET is optimized for synchronous rectification and has higher solder joint reliability due to enlarged source interconnection.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 195 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.002 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 40 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SuperSO8 5x6 |
| Pin Count | 8 |
| Series | OptiMOS |
| Вес, г | 0.27 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1318 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
