BSC030N08NS5ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 80 В, 100 А, 0.0026 Ом, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
650 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
590 руб.
от 100 шт. —
451 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 600 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
BSC030N08NS5, SP001077098
• N-channel Optima's ™ 5 power transistor
• Optimized for high performance SMPS
• 100% avalanche tested
• Superior thermal resistance
• Qualified according to JEDEC for target applications
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0026Ом |
| Power Dissipation | 139Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Рассеиваемая Мощность | 139Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0026Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | Single |
| Factory Pack Quantity | 5000 |
| Fall Time | 13 ns |
| Forward Transconductance - Min | 55 S |
| Height | 1.27 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 100 A |
| Length | 5.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | TDSON-8 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSC030N08NS5 SP001077098 |
| Pd - Power Dissipation | 139 W |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 61 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 4.5 mOhms |
| Rise Time | 12 ns |
| RoHS | Details |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 43 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 20 ns |
| Unit Weight | 0.01787 oz |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.2 V |
| Width | 5.15 mm |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Maximum Continuous Drain Current | 100 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 3 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Source Voltage | 20 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Power Dissipation | 139 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TDSON |
| Pin Count | 8 |
| Series | BSC030N08NS5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 61 nC @ 10 V |
| Вес, г | 0.907 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1226 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
