BSC082N10LSGATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 100 А, 0.0068 Ом, TDSON, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
690 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
620 руб.
от 100 шт. —
486 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 2 760 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
The BSC082N10LS G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS (ON) and FOM.
• Excellent switching performance
• World's lowest RDS (ON)
• Very low Qg and Qgd
• Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
• Environmentally friendly
• Increased efficiency
• Highest power density
• Less paralleling required
• Smallest board-space consumption
• Easy-to-design products
• Halogen-free
• MSL1 rated 2
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0068Ом |
| Power Dissipation | 156Вт |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Непрерывный Ток Стока | 100А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.85В |
| Рассеиваемая Мощность | 156Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0068Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TDSON |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet BSC082N10LSGATMA1
pdf, 670 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
