BSC0925NDATMA1, MOSFET,DUAL, N-CH, 30V, 40A, TISON

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

110 руб.

Мин. кол-во для заказа 24 шт.

от 100 шт. — 103 руб.

Добавить в корзину 24 шт. на сумму 2 640 руб.

Номенклатурный номер: 8014286460

Артикул: BSC0925NDATMA1

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Двойные МОП-транзисторы

Mosfet, dual, N-Ch, 30V, 40A, Tison Rohs Compliant: Yes |Infineon BSC0925NDATMA1

Channel Type	N Channel
Drain Source On State Resistance N Channel	0.0042Ом
Drain Source On State Resistance P Channel	0.0042Ом
Power Dissipation N Channel	30Вт
Power Dissipation P Channel	30Вт
Количество Выводов	8вывод(-ов)
Линейка Продукции	OptiMOS Series
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Напряжение Истока-стока Vds, N Канал	30В
Напряжение Истока-стока Vds, P Канал	30В
Непрерывный Ток Стока, N Канал	40А
Непрерывный Ток Стока, P Канал	40А
Стиль Корпуса Транзистора	TISON
Automotive	No
Channel Mode	Enhancement
Configuration	Dual
Maximum Continuous Drain Current - (A)	15
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm)	4.5@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V)	30
Maximum Gate Source Voltage - (V)	??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V)	2
Maximum Power Dissipation - (mW)	2500
Military	No
Number of Elements per Chip	2
Operating Temperature - (??C)	-55~150
Packaging	Tape and Reel
Pin Count	8
Standard Package Name	SON
Supplier Package	TISON EP
Typical Gate Charge @ 10V - (nC)	13
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC)	6.7@4.5VI13@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF)	870@15V
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	30 W
Mounting Type	Through Hole
Package Type	PG-TISON-8
Вес, г	0.17

pdf, 625 КБ

Мы рекомендуем