BSP171PH6327XTSA1, Транзистор MOSFET P-CH 60В 1.9А Automotive [SOT-223 (3-pin + Tab)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
от 15 шт. —
133 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 150 руб.
Описание
The Infineon SIPMOS® small Signal P- channel MOSFETs have several features which may include enhancement mode, continuous drain current some as low as -80A plus a wide operating temperature range.
Технические параметры
| Структура | P-канал | |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 | |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.9 | |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20 | |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.3 Ом/1.9А, 10В | |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.8 | |
| Корпус | SOT-223 | |
| Вес, г | 0.39 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 234 КБ
Datasheet
pdf, 614 КБ
Datasheet BSP171P H6327
pdf, 614 КБ
Datasheet BSP171P
pdf, 616 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
