BSP295H6327, Транзистор полевой N-канальный 60В 1.8А 1.8Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 19 шт. —
120 руб.
от 38 шт. —
108 руб.
от 75 шт. —
103 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 600 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 1.8А 1.8Вт
Технические параметры
Корпус | SOT-223 | |
AEC Qualified Number | AEC-Q101 | |
Automotive | Yes | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | N | |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 1.8 | |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 300@10V | |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 | |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 | |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 1.8 | |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 1800 | |
Military | No | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 | |
Packaging | Tape and Reel | |
Pin Count | 4 | |
Process Technology | SIPMOS | |
Standard Package Name | SOT | |
Supplier Package | SOT-223 | |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 14 | |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 14@10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 295@25V | |
Вес, г | 0.85 |
Техническая документация
Datasheet BSP295H6327XTSA1
pdf, 442 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов