BSP295H6327, Транзистор полевой N-канальный 60В 1.8А 1.8Вт

Фото 1/3 BSP295H6327, Транзистор полевой N-канальный 60В 1.8А 1.8Вт
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
150 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 19 шт.120 руб.
от 38 шт.108 руб.
от 75 шт.103 руб.
Добавить в корзину 4 шт. на сумму 600 руб.
Номенклатурный номер: 8151975200
Артикул: BSP295H6327

Описание

Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой N-канальный 60В 1.8А 1.8Вт

Технические параметры

Корпус SOT-223
AEC Qualified Number AEC-Q101
Automotive Yes
Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current - (A) 1.8
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) 300@10V
Maximum Drain Source Voltage - (V) 60
Maximum Gate Source Voltage - (V) ??20
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) 1.8
Maximum Power Dissipation - (mW) 1800
Military No
Number of Elements per Chip 1
Operating Temperature - (??C) -55~150
Packaging Tape and Reel
Pin Count 4
Process Technology SIPMOS
Standard Package Name SOT
Supplier Package SOT-223
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) 14
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) 14@10V
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) 295@25V
Вес, г 0.85

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов