BSR802NL6327HTSA1, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 20В, 3,7А, 0,5Вт, SC59
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
120 руб.
Кратность заказа 3 шт.
Добавить в корзину 3 шт.
на сумму 360 руб.
Описание
Описание Транзистор полевой BSR802NL6327HTSA1 производства INFINEON представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, обеспечивающий оптимальный контроль тока в электронных устройствах. Монтаж данного элемента осуществляется с помощью поверхностного монтажа (SMD), что делает его удобным для интеграции в современные печатные платы. Транзистор способен управлять током стока до 3,7 А при напряжении сток-исток 20 В, обладая при этом низким сопротивлением в открытом состоянии всего 0,032 Ом, что свидетельствует о его высокой эффективности. Мощность устройства составляет 0,5 Вт, а его компактный корпус SC-59 идеально подходит для мелкосерийного и массового производства электроники. Артикул BSR802NL6327HTSA1 станет надежным и долговечным компонентом в любой схеме. Характеристики
| Категория | Транзистор |
| Тип | полевой |
| Вид | N-MOSFET |
| Монтаж | SMD |
| Ток стока, А | 3.7 |
| Напряжение сток-исток, В | 20 |
| Мощность, Вт | 0.5 |
| Сопротивление в открытом состоянии, Ом | 0.032 |
| Корпус | SC-59 |
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Fall Time: | 4.1 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 16 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 3.7 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | SOT-23-3 |
| Part # Aliases: | BSR802N L6327 SP000442484 |
| Pd - Power Dissipation: | 500 mW |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 4.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 17 mOhms |
| Rise Time: | 18 ns |
| Series: | BSR802 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 550 mV |
| Brand | Infineon Technologies |
| Channel Mode | Enhancement |
| Configuration | 1 N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Fall Time | 4.1 ns |
| Forward Transconductance - Min | 16 S |
| Height | 1.1 mm |
| Id - Continuous Drain Current | 3.7 A |
| Length | 2.9 mm |
| Manufacturer | Infineon |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Packaging | Reel |
| Part # Aliases | BSR802N BSR802NL6327XT L6327 SP000442484 |
| Pd - Power Dissipation | 500 mW(1/2 W) |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 4.7 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 17 mOhms |
| Rise Time | 18 ns |
| RoHS | Details |
| Series | BSR802 |
| Technology | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time | 26 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 9.8 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 8 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 300 mV |
| Width | 1.3 mm |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 370 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | SOT-223 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.03 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
