BSS138DW-7-F

Фото 1/3 BSS138DW-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
13 руб.
Мин. кол-во для заказа 27 шт.
от 100 шт.11 руб.
от 500 шт.9.38 руб.
Добавить в корзину 27 шт. на сумму 351 руб.
Номенклатурный номер: 8023065008
Бренд: DIODES INC.

Описание

Описание МОП-транзистор МОП n-канальный 50 В 0.2 А 0.2Вт SOT-363 Характеристики
Категория Транзистор
Тип полевой
Вид MOSFET

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N
Maximum Continuous Drain Current 200 mA
Maximum Drain Source Resistance 3.5 Ω
Maximum Drain Source Voltage 50 V
Maximum Gate Source Voltage -20 V, +20 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1.5V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-363
Pin Count 6
Transistor Configuration Isolated
Transistor Material Si
Width 1.35mm
Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Forward Transconductance - Min: 100 mS
Id - Continuous Drain Current: 200 mA
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package / Case: SOT-363-6
Pd - Power Dissipation: 200 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Product: MOSFET Small Signal
Rds On - Drain-Source Resistance: 3.5 Ohms
Series: BSS138
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 2 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 20 ns
Typical Turn-On Delay Time: 20 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 50 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 500 mV

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 609 КБ
Datasheet BSS138DW-7-F
pdf, 214 КБ