BSS138W-TP, Транзистор Enhancement Mode FET, N-канал, 50В, 0.22А [SOT-323]

Фото 1/2 BSS138W-TP, Транзистор Enhancement Mode FET, N-канал, 50В, 0.22А [SOT-323]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
18 руб.
от 100 шт.9.80 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 18 руб.
Номенклатурный номер: 9000563904
Артикул: BSS138W-TP

Описание

N-Channel MOSFETS

Micro Commercial Components (MCC) N-Channel Medium Power and Small Signal MOSFETs have a low on-Resistance (RDS) range of 0.012Ω to 8Ω and a high voltage version of up to 800V. These rugged and reliable MOSFETs are available in a wide range of surface-mount packages, including SOT, DFN, SOP, and Dpak. MCC N-Channel MOSFETs The N-Channel Medium Power and Small Signal MOSFETs have an operating temperature range from -55°C to 150°C or 175°C.

Технические параметры

Структура N-канал
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В 50
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А 0.22
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В ±20
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) 3.5 Ом/0.22А, 10В
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт 0.3
Корпус sot-323
Вес, г 0.06

Техническая документация

Datasheet
pdf, 947 КБ
Datasheet BSS138W
pdf, 361 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов