BSS83PH6327XTSA1, Транзистор полевой P-канальный 60В 0.33А 0.36Вт, 2.0 Ом
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 руб.
Мин. кол-во для заказа 19 шт.
от 432 шт. —
19 руб.
от 863 шт. —
18 руб.
от 1726 шт. —
17 руб.
Добавить в корзину 19 шт.
на сумму 475 руб.
Описание
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторы
Транзистор полевой P-канальный 60В 0.33А 0.36Вт, 2.0 Ом
Технические параметры
Корпус | sot-23 | |
AEC Qualified Number | AEC-Q101 | |
Automotive | Yes | |
Channel Mode | Enhancement | |
Channel Type | P | |
Configuration | Single | |
Maximum Continuous Drain Current - (A) | 0.33 | |
Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 2000@10V | |
Maximum Drain Source Voltage - (V) | 60 | |
Maximum Gate Source Voltage - (V) | ??20 | |
Maximum Gate Threshold Voltage - (V) | 2 | |
Maximum Power Dissipation - (mW) | 360 | |
Military | No | |
Number of Elements per Chip | 1 | |
Operating Temperature - (??C) | -55~150 | |
Packaging | Tape and Reel | |
Pin Count | 3 | |
Standard Package Name | SOT-23 | |
Supplier Package | SOT-23 | |
Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 2.38 | |
Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 2.38@10V | |
Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 62@25V | |
Typical Output Capacitance - (pF) | 19 | |
Case | PG-SOT23 | |
Drain current | -0.33A | |
Drain-source voltage | -60V | |
Gate-source voltage | ±20V | |
Kind of channel | enhanced | |
Kind of package | reel | |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES | |
Mounting | SMD | |
On-state resistance | 2Ω | |
Polarisation | unipolar | |
Power dissipation | 0.36W | |
Technology | SIPMOS™ | |
Type of transistor | P-MOSFET | |
Maximum Continuous Drain Current | 330 mA | |
Maximum Drain Source Resistance | 3 Ω | |
Maximum Drain Source Voltage | 60 V | |
Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V | |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2V | |
Maximum Operating Temperature | +150 °C | |
Maximum Power Dissipation | 360 mW | |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1V | |
Minimum Operating Temperature | -55 °C | |
Mounting Type | Surface Mount | |
Package Type | SOT-23 | |
Series | SIPMOS | |
Transistor Configuration | Single | |
Transistor Material | Si | |
Typical Gate Charge @ Vgs | 2.38 nC @ 10 V | |
Width | 1.3mm | |
Вес, г | 0.05 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet BSS83PH6327XTSA1
pdf, 477 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов