BSS84ES, P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, SOT-23 52AK7684
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
60000 шт., срок 8-10 недель
8 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 24 000 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Технические параметры
Channel Type | P Channel |
Drain Source On State Resistance | 2Ом |
Power Dissipation | 360мВт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Линейка Продукции | PW Series |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
Напряжение Истока-стока Vds | 50В |
Непрерывный Ток Стока | 130мА |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
Вес, г | 0.91 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.