BSZ070N08LS5ATMA1, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 80 В, 40 А, 0.0059 Ом, TSDSON-FL, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
290 руб.
Мин. кол-во для заказа 9 шт.
от 10 шт. —
260 руб.
от 100 шт. —
203 руб.
Добавить в корзину 9 шт.
на сумму 2 610 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
BSZ070N08LS5, SP001352992
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.0059Ом |
| Power Dissipation | 69Вт |
| Квалификация | - |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | OptiMOS 5 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1.7В |
| Рассеиваемая Мощность | 69Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0059Ом |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | - |
| Стиль Корпуса Транзистора | TSDSON-FL |
| Brand: | Infineon Technologies |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 5000 |
| Fall Time: | 5.8 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 26 S |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Package/Case: | TSDSON-8 |
| Part # Aliases: | BSZ070N08LS5 SP001352992 |
| Pd - Power Dissipation: | 69 W |
| Product Category: | MOSFET |
| Product Type: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14.1 nC |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.4 mOhms |
| Rise Time: | 4.8 ns |
| Series: | OptiMOS 5 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Technology: | Si |
| Tradename: | OptiMOS |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24.6 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6.1 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 80 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.7 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0094 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.3V |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | PQFN 3x3 |
| Pin Count | 8 |
| Series | OptiMOS 5 |
| Вес, г | 0.5 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1774 КБ
Datasheet BSZ070N08LS5ATMA1
pdf, 1428 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
