BUK6D385-100EX, MOSFET BUK6D385-100E/ SOT1220/SOT1220
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
177000 шт., срок 7 недель
38 руб.
Кратность заказа 3000 шт.
от 9000 шт. —
35 руб.
Добавить в корзину 3000 шт.
на сумму 114 000 руб.
Альтернативные предложения2
Описание
МОП-транзистор 100V N-CH TRENCHMOS SOT1220
Технические параметры
| Id - непрерывный ток утечки | 3.7 A |
| Pd - рассеивание мощности | 15 W |
| Qg - заряд затвора | 6.8 nC |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 385 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 100 V |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время нарастания | 7 ns |
| Время спада | 2 ns |
| Другие названия товара № | 934660946115 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Конфигурация | Single |
| Максимальная рабочая температура | + 175 C |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Технология | Si |
| Тип продукта | MOSFET |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Типичное время задержки выключения | 9 ns |
| Типичное время задержки при включении | 5 ns |
| Торговая марка | Nexperia |
| Упаковка / блок | DFN-2020-6 |
| Continuous Drain Current (Id) | - |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | - |
| Drain Source Voltage (Vdss) | - |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | - |
| Power Dissipation (Pd) | - |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Type | - |
Техническая документация
Datasheet BUK6D385-100EX
pdf, 275 КБ
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
