C2M0045170P, Silicon Carbide MOSFET, SiC, Single, N Channel, 72 А, 1.7 кВ, 0.045 Ом, TO-247 Plus
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
25 шт., срок 8-10 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
24 500 руб.
от 5 шт. —
22 390 руб.
от 10 шт. —
20 380 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 24 500 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)
Технические параметры
| Channel Type | N Channel |
| Drain Source On State Resistance | 0.045Ом |
| Power Dissipation | 520Вт |
| Количество Выводов | 4вывод(-ов) |
| Конфигурация МОП-транзистора | Single |
| Линейка Продукции | C2M |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 20В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 1.7кВ |
| Непрерывный Ток Стока | 72А |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.6В |
| Рассеиваемая Мощность | 520Вт |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.045Ом |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 Plus |
| Вес, г | 5 |
Техническая документация
Datasheet C2M0045170P
pdf, 1193 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
