CPH3240-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V

Фото 1/2 CPH3240-TL-E, Bipolar Transistors - BJT BIP NPN 1A 100V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
170 руб.
от 10 шт.150 руб.
от 100 шт.99 руб.
от 500 шт.75.33 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 170 руб.
Номенклатурный номер: 8006243739
Артикул: CPH3240-TL-E

Описание

Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\Биполярные транзисторы - BJT
Биполярные транзисторы - BJT BIP NPN 1A 100V

Технические параметры

Pd - рассеивание мощности 900 mW
Вид монтажа SMD/SMT
Категория продукта Биполярные транзисторы - BJT
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 140
Конфигурация Single
Коэффициент усиления по постоянному току (hFE), макс. 400
Максимальная рабочая температура + 150 C
Максимальный постоянный ток коллектора 1 A
Минимальная рабочая температура 55 C
Напряжение коллектор-база (VCBO) 120 V
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 100 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 100 mV
Напряжение эмиттер-база (VEBO) 6 V
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Произведение коэффициента усиления на ширину полосы пропускания (fT) 120 MHz
Размер фабричной упаковки 3000
Серия CPH3240
Технология Si
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors
Торговая марка ON Semiconductor
Упаковка / блок SOT-23-3
Collector Emitter Voltage Max 100В
Continuous Collector Current
DC Current Gain hFE Min 140hFE
DC Усиление Тока hFE 140hFE
Power Dissipation 900мВт
Количество Выводов 3вывод(-ов)
Монтаж транзистора Surface Mount
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный
Частота Перехода ft 120МГц
Вес, г 0.008

Техническая документация

Datasheet
pdf, 646 КБ
Datasheet CPH3240-TL-E
pdf, 653 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов