CRG40T65AN5H, Транзистор IGBT 650В 40А 250Вт Trench FS V [TO-3P(N)]
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
27 шт. со склада г.Москва
200 шт. ожидается на склад г.Москва после 4 июня 2024 г.
160 руб.
от 15 шт. —
138 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 160 руб.
Альтернативные предложения1
Номенклатурный номер: 9001386386
Артикул: CRG40T65AN5H
Технические параметры
Технология/семейство | Trench FS V | |
Наличие встроенного диода | Да | |
Максимальное напряжение КЭ ,В | 650 | |
Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 | |
Импульсный ток коллектора (Icm), А | 160 | |
Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.65 | |
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 250 | |
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 54 | |
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 200 | |
Рабочая температура (Tj), °C | -55…+150 | |
Корпус | TO-3P(N) | |
Вес, г | 6 |
Техническая документация
CRG40T65AN5H
pdf, 1490 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.