CSD16401Q5, MOSFET N-Ch NexFET Power MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
620 руб.
от 10 шт. —
510 руб.
от 100 шт. —
401 руб.
от 250 шт. —
369.81 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 620 руб.
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.0013Ом |
Power Dissipation | 3.1Вт |
Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
Монтаж транзистора | Surface Mount |
Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
Непрерывный Ток Стока | 100А |
Пороговое Напряжение Vgs | 1.5В |
Стиль Корпуса Транзистора | SON |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
Вес, г | 745 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов