CY14B101LA-SZ45XI, Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 45ns Read/Write, Parallel, 2.7V to 3.6V, SOIC-32

CY14B101LA-SZ45XI, Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 45ns Read/Write, Parallel, 2.7V to 3.6V, SOIC-32
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 240 руб.
от 5 шт.7 730 руб.
от 10 шт.7 120 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 8 240 руб.
Номенклатурный номер: 8000812897
Артикул: CY14B101LA-SZ45XI

Описание

Полупроводники - Микросхемы\Память\Энергонезависимая SRAM - NVSRAM

Технические параметры

IC Case / Package SOIC
Interfaces Parallel
Memory Configuration 128K x 8bit
Время доступа записи 45нс
Время доступа чтения 45нс
Количество Выводов 32вывод(-ов)
Максимальная Рабочая Температура 85°C
Максимальное Напряжение Питания 3.6В
Минимальная Рабочая Температура -40°C
Минимальное Напряжение Питания 2.7В
Монтаж Микросхемы SMD(Поверхностный Монтаж)
Организация Памяти 128К x 8бит
Плотность Памяти 1Мбит
Размер Памяти 1Мбит
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти SOIC
Тип Интерфейса ИС Параллельный
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 3-168 часов
Вес, г 3.38

Техническая документация

Datasheet
pdf, 658 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем