CY14B101LA-SZ45XI, Nonvolatile SRAM (NVSRAM), 1Mbit, 128K x 8bit, 45ns Read/Write, Parallel, 2.7V to 3.6V, SOIC-32
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
8 240 руб.
от 5 шт. —
7 730 руб.
от 10 шт. —
7 120 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 8 240 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\Энергонезависимая SRAM - NVSRAM
Технические параметры
IC Case / Package | SOIC |
Interfaces | Parallel |
Memory Configuration | 128K x 8bit |
Время доступа записи | 45нс |
Время доступа чтения | 45нс |
Количество Выводов | 32вывод(-ов) |
Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
Минимальное Напряжение Питания | 2.7В |
Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
Организация Памяти | 128К x 8бит |
Плотность Памяти | 1Мбит |
Размер Памяти | 1Мбит |
Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | SOIC |
Тип Интерфейса ИС | Параллельный |
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
Вес, г | 3.38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 658 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем