CY62158GE30-45BVXI, SRAM, Asynchronous SRAM, 8 Мбит, 1M x 8bit, VFBGA, 48 вывод(-ов), 2.2 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
3 240 руб.
от 10 шт. —
2 630 руб.
от 25 шт. —
2 370 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 240 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM
Технические параметры
| IC Case / Package | VFBGA |
| Memory Configuration | 1M x 8bit |
| SRAM Type | Asynchronous SRAM |
| Время Доступа | 45нс |
| Диапазон Напряжения Питания | 2.2В до 3.6В |
| Количество Выводов | 48вывод(-ов) |
| Конфигурация Памяти SRAM | 1М x 8бит |
| Максимальная Рабочая Температура | 85°C |
| Максимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 2.2В |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Номинальное Напряжение Питания | 3В |
| Плотность Памяти | 8Мбит |
| Размер Памяти | 8Мбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | VFBGA |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Вес, г | 0.91 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 615 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
