CY7C1041G30-10ZSXE, SRAM, Asynchronous SRAM, 4 Мбит, 256K x 16bit, TSOP-II, 44 вывод(-ов), 3.6 В
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 440 руб.
Мин. кол-во для заказа 2 шт.
от 10 шт. —
2 170 руб.
от 25 шт. —
2 130 руб.
Добавить в корзину 2 шт.
на сумму 4 880 руб.
Описание
Полупроводники - Микросхемы\Память\SRAM
Технические параметры
| IC Case / Package | TSOP-II |
| Memory Configuration | 256K x 16bit |
| SRAM Type | Asynchronous SRAM |
| Время Доступа | 10нс |
| Диапазон Напряжения Питания | 2.2В до 3.6В |
| Количество Выводов | 44вывод(-ов) |
| Конфигурация Памяти SRAM | 256К x 16бит |
| Максимальная Рабочая Температура | 125°C |
| Максимальное Напряжение Питания | 2.2В |
| Минимальная Рабочая Температура | -40°C |
| Минимальное Напряжение Питания | 3.6В |
| Монтаж Микросхемы | SMD(Поверхностный Монтаж) |
| Номинальное Напряжение Питания | 3В |
| Плотность Памяти | 4Мбит |
| Размер Памяти | 4Мбит |
| Стиль Корпуса Микросхемы Памяти | TSOP-II |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 3-168 часов |
| Вес, г | 3.74 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 639 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
