DDTD113ZC-7-F

Фото 1/4 DDTD113ZC-7-F
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
8 руб.
Мин. кол-во для заказа 50 шт.
Добавить в корзину 50 шт. на сумму 400 руб.
Номенклатурный номер: 8024052949
Бренд: DIODES INC.

Описание

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения 200MW 1K 10K

Технические параметры

Вид монтажа SMD/SMT
Высота 1 mm
Длина 3.05 mm
Категория продукта Биполярные транзисторы - С предварительно заданным
Коллектор постоянного тока/Мин. коэфф. усиления транзистора (hfe) 56
Конфигурация Single
Максимальная рабочая температура + 150 C
Минимальная рабочая температура 55 C
Непрерывный коллекторный ток 500 mA
Пиковый постоянный ток коллектора 500 mA
Подкатегория Transistors
Полярность транзистора NPN
Размер фабричной упаковки 3000
Серия DDTD113
Тип продукта BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
Типичное входное сопротивление 1 kOhms
Типичный коэффициент деления резистора 0.1
Торговая марка Diodes Incorporated
Упаковка / блок SOT-23-3
Ширина 1.4 mm
Base Product Number DDTD113 ->
Current - Collector (Ic) (Max) 500mA
Current - Collector Cutoff (Max) 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 56 @ 50mA, 5V
ECCN EAR99
Frequency - Transition 200MHz
HTSUS 8541.21.0075
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Surface Mount
Package Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Power - Max 200mW
REACH Status REACH Unaffected
Resistor - Base (R1) 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package SOT-23-3
Transistor Type NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Maximum DC Collector Current 500 mA
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 200 mW
Number of Elements per Chip 1
Package Type SOT-23
Pin Count 3
Transistor Configuration Single
Typical Input Resistor 1 kΩ
Typical Resistor Ratio 0.1
Collector Emitter Voltage Max NPN 50В
Continuous Collector Current 500мА
DC Current Gain hFE Min 56hFE
Power Dissipation 200мВт
Количество Выводов 3 Вывода
Корпус РЧ Транзистора SOT-23
Линейка Продукции DDTDxC Series
Монтаж транзистора Surface Mount
Напряжение Коллектор-Эмиттер 50В
Непрерывный Коллекторный Ток Ic 500мА
Полярность Цифрового Транзистора Одиночный NPN
Резистор База-эмиттер R2 10кОм
Резистор На входе Базы R1 1кОм
Стиль Корпуса Транзистора SOT-23
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) MSL 1-Безлимитный

Техническая документация

Datasheet
pdf, 366 КБ
Datasheet
pdf, 71 КБ
Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 70 КБ
Datasheet DDTD113ZC-7-F
pdf, 74 КБ