DF100R07W1H5FPB53BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C, Module

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9 950 руб.

от 5 шт. — 9 250 руб.

от 10 шт. — 8 440 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 9 950 руб.

Номенклатурный номер: 8006386051

Артикул: DF100R07W1H5FPB53BPSA2

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Модуль IGBT Trench Field Stop 2 Независимый модуль для монтажа на шасси 650 В 40 А 20 мВт

Collector Emitter Saturation Voltage	1.35В
Collector Emitter Voltage Max	650В
Continuous Collector Current	50А
DC Ток Коллектора	50А
Выводы БТИЗ	Press Fit
Конфигурация БТИЗ	Dual(Half Bridge)
Линейка Продукции	EasyPACK TRENCHSTOP
Максимальная Рабочая Температура	150°C
Максимальная Температура Перехода Tj	150°C
Монтаж транзистора	Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер	650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on)	1.35В
Стиль Корпуса Транзистора	Module
Технология БТИЗ	Trench Stop 5 H5/CoolSiC
Base Product Number	DF100R07 ->
Configuration	2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max)	40A
Current - Collector Cutoff (Max)	40ВµA
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.21.0095
IGBT Type	Trench Field Stop
Input	Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce	2.8nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Mounting Type	Chassis Mount
NTC Thermistor	Yes
Operating Temperature	-40В°C ~ 150В°C
Package	Tray
Package / Case	Module
Power - Max	20mW
REACH Status	REACH Unaffected
RoHS Status	ROHS3 Compliant
Series	EasyPACKв„ў ->
Supplier Device Package	Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	1.55V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	650V
Вес, г	1

pdf, 720 КБ

Мы рекомендуем