DF100R07W1H5FPB54BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C, Module

Фото 1/2 DF100R07W1H5FPB54BPSA2, БТИЗ массив и модульный транзистор, Dual [Half Bridge], 50 А, 1.35 В, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
15 190 руб.
от 5 шт.13 560 руб.
от 10 шт.12 820 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 15 190 руб.
Номенклатурный номер: 8006790861
Артикул: DF100R07W1H5FPB54BPSA2

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) LOW POWER EASY

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.35В
Collector Emitter Voltage Max 650В
Continuous Collector Current 50А
DC Ток Коллектора 50А
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Dual(Half Bridge)
Линейка Продукции EasyPACK TRENCHSTOP
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 650В
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.35В
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ Trench Stop 5 H5/CoolSiC
Pd - рассеивание мощности 20 mW
Вид монтажа Press Fit
Другие названия товара № DF100R07W1H5FP_B54 SP001650156
Категория продукта Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Коммерческое обозначение TRENCHSTOP EasyPACK CoolSIC
Конфигурация Dual
Максимальное напряжение затвор-эмиттер 20 V
Минимальная рабочая температура 40 C
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс. 650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер 1.35 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C 40 A
Подкатегория IGBTs
Продукт IGBT Silicon Carbide Modules
Размер фабричной упаковки 30
Серия Trenchstop 5 H5
Технология SiC
Тип продукта IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер 100 nA
Торговая марка Infineon Technologies
Упаковка Tray
Упаковка / блок Module
Base Product Number DF100R07 ->
Configuration 2 Independent
Current - Collector (Ic) (Max) 40A
Current - Collector Cutoff (Max) 40ВµA
ECCN EAR99
HTSUS 8541.21.0095
IGBT Type Trench Field Stop
Input Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce 2.8nF @ 25V
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Mounting Type Chassis Mount
NTC Thermistor Yes
Operating Temperature -40В°C ~ 150В°C (TJ)
Package Tray
Package / Case Module
Power - Max 20mW
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Series EasyPACKв„ў ->
Supplier Device Package Module
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 1.55V @ 15V, 25A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Вес, г 1

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов