DF160R12W2H3FB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Four Pack, 160 А, 1.55 В, 150 °C, Module

DF160R12W2H3FB11BPSA1, БТИЗ массив и модульный транзистор, Four Pack, 160 А, 1.55 В, 150 °C, Module
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
33 350 руб.
от 5 шт.30 790 руб.
от 10 шт.28 320 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 33 350 руб.
Номенклатурный номер: 8006484257
Артикул: DF160R12W2H3FB11BPSA1

Описание

Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Массивы и Модули

Технические параметры

Collector Emitter Saturation Voltage 1.55В
Collector Emitter Voltage Max 1.2кВ
Continuous Collector Current 160А
DC Ток Коллектора 160А
Выводы БТИЗ Press Fit
Конфигурация БТИЗ Four Pack
Линейка Продукции EasyPACK CoolSiC
Максимальная Рабочая Температура 150°C
Максимальная Температура Перехода Tj 150°C
Монтаж транзистора Panel
Напряжение Коллектор-Эмиттер 1.2кВ
Напряжение Насыщения Коллектор-Эмиттер Vce(on) 1.55В
Стиль Корпуса Транзистора Module
Технология БТИЗ IGBT 3(Trench/Field Stop)
Вес, г 1

Техническая документация

Datasheet
pdf, 722 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов