DG100X07T2, TRANS, IGBT, 650V, 200A, TO-247 PLUS
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 шт., срок 8-10 недель
2 850 руб.
от 5 шт. —
2 500 руб.
от 10 шт. —
2 160 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 850 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.45В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 200А |
| Power Dissipation | 1.071кВт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | DOSEMI Trench |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 Plus |
| Вес, г | 10 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![FGL40N120ANDTU, Транзистор IGBT 1200В 64А 500Вт + диод [TO-264]](https://static.chipdip.ru/lib/269/DOC006269373.jpg)
![IRGPS46160DPBF, Транзистор, IGBT Gen 6.2, 600В,120А, 8-30кГц [Super247]](https://static.chipdip.ru/lib/153/DOC004153676.jpg)
