DG20X06T1, БТИЗ транзистор, 42 А, 1.45 В, 313 Вт, 600 В, TO-220, 3 вывод(-ов)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
94 шт., срок 8-10 недель
580 руб.
Мин. кол-во для заказа 5 шт.
от 10 шт. —
510 руб.
Добавить в корзину 5 шт.
на сумму 2 900 руб.
Альтернативные предложения1
Описание
Полупроводники - Дискретные\IGBTs\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
Case | TO220 |
Collector current | 29A |
Collector-emitter voltage | 600V |
Features of semiconductor devices | integrated anti-parallel diode |
Gate charge | 0.14µC |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Kind of package | tube |
Manufacturer | STARPOWER SEMICONDUCTOR |
Mounting | THT |
Power dissipation | 313W |
Pulsed collector current | 60A |
Turn-off time | 200ns |
Turn-on time | 26ns |
Type of transistor | IGBT |
Вес, г | 10 |
Техническая документация
Datasheet DG20X06T1
pdf, 339 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары