DG30X07T2, TRANS, IGBT, 650V, 60A, 208W, TO-247
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
70 шт., срок 8-10 недель
790 руб.
Мин. кол-во для заказа 4 шт.
от 10 шт. —
690 руб.
Добавить в корзину 4 шт.
на сумму 3 160 руб.
Описание
Полупроводники - Дискретные\БТИЗ\БТИЗ Одиночные
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.5В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 60А |
| Power Dissipation | 208Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Линейка Продукции | DOSEMI |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Вес, г | 10 |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
Похожие товары
![FGA40N65SMD, Транзистор, IGBT, Field Stop, 650В, 40А [TO-3PN]](https://static.chipdip.ru/lib/426/DOC005426402.jpg)
![IRGP4640DPBF, Транзистор, IGBT, N-канал, 600В, 65А [TO-247AC]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307909.jpg)
![FGH40N60SFDTU, Транзистор, IGBT 600В 40А, [TO-247]](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307893.jpg)
![GT60N321, Транзистор IGBT 1000V 60A [TO-3P/2-21F2C]](https://static.chipdip.ru/lib/303/DOC005303030.jpg)
![IGW40T120FKSA1 (G40T120), Транзистор IGBT Chip N-CH 1200В 40А 270Вт [PG-TO-247-3] (замена BUP314)](https://static.chipdip.ru/lib/307/DOC005307917.jpg)
