DMG1016UDW-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
10 руб.
Мин. кол-во для заказа 36 шт.
Добавить в корзину 36 шт.
на сумму 360 руб.
Описание
Полевые МОП-транзисторы
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.
Технические параметры
Channel Mode | Enhancement |
Channel Type | N, P |
Maximum Continuous Drain Current | 1 A, 840 mA |
Maximum Drain Source Resistance | 1.5 Ω, 750 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
Maximum Gate Source Voltage | -6 V, +6 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 330 mW |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Elements per Chip | 2 |
Package Type | SOT-363 |
Pin Count | 6 |
Transistor Configuration | Isolated |
Transistor Material | Si |
Typical Gate Charge @ Vgs | 0.62 nC @ 4.5 V, 0.74 nC @ 4.5 V |
Width | 1.35mm |
Brand: | Diodes Incorporated |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Dual |
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
Fall Time: | 12.3 ns, 20.72 ns |
Id - Continuous Drain Current: | 1.066 A, 845 mA |
Manufacturer: | Diodes Incorporated |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 2 Channel |
Package / Case: | SOT-363-6 |
Pd - Power Dissipation: | 330 mW |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Product: | MOSFET Small Signal |
Qg - Gate Charge: | 736.6 nC, 622.4 pC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 450 mOhms, 750 mOhms |
Rise Time: | 7.4 ns, 8.1 ns |
Series: | DMG1016 |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 26.7 ns, 28.4 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 5.1 ns, 5.1 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -6 V, +6 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 500 mV |