DMG1016UDW-7

Фото 1/2 DMG1016UDW-7
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
10 руб.
Мин. кол-во для заказа 36 шт.
Добавить в корзину 36 шт. на сумму 360 руб.
Номенклатурный номер: 8024101649
Бренд: DIODES INC.

Описание

Полевые МОП-транзисторы

Diodes Incorporated предлагает широкий спектр полевых МОП-транзисторов, позволяющих разработчикам выбрать устройство, оптимизированное для их конечного применения, что позволяет создавать потребительские, компьютерные и коммуникационные продукты нового поколения. Ассортимент диодов идеально подходит для удовлетворения требований к схемам преобразования постоянного тока в постоянный, переключения нагрузки, управления двигателем, подсветки, защиты аккумуляторов, зарядных устройств аккумуляторов, аудиосхем и автомобильных приложений.

Технические параметры

Channel Mode Enhancement
Channel Type N, P
Maximum Continuous Drain Current 1 A, 840 mA
Maximum Drain Source Resistance 1.5 Ω, 750 mΩ
Maximum Drain Source Voltage 20 V
Maximum Gate Source Voltage -6 V, +6 V
Maximum Gate Threshold Voltage 1V
Maximum Operating Temperature +150 °C
Maximum Power Dissipation 330 mW
Minimum Operating Temperature -55 °C
Mounting Type Surface Mount
Number of Elements per Chip 2
Package Type SOT-363
Pin Count 6
Transistor Configuration Isolated
Transistor Material Si
Typical Gate Charge @ Vgs 0.62 nC @ 4.5 V, 0.74 nC @ 4.5 V
Width 1.35mm
Brand: Diodes Incorporated
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Dual
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 12.3 ns, 20.72 ns
Id - Continuous Drain Current: 1.066 A, 845 mA
Manufacturer: Diodes Incorporated
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 2 Channel
Package / Case: SOT-363-6
Pd - Power Dissipation: 330 mW
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Product: MOSFET Small Signal
Qg - Gate Charge: 736.6 nC, 622.4 pC
Rds On - Drain-Source Resistance: 450 mOhms, 750 mOhms
Rise Time: 7.4 ns, 8.1 ns
Series: DMG1016
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel, P-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel, 1 P-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 26.7 ns, 28.4 ns
Typical Turn-On Delay Time: 5.1 ns, 5.1 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -6 V, +6 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 500 mV

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1680 КБ
Datasheet
pdf, 683 КБ
Datasheet
pdf, 264 КБ